“一种并联MOS管均流及短路保护电路”获国家发明专利

　　中国运载火箭技术研究院所属北京精密机电控制设备研究所的“一种并联MOS管均流及短路保护电路”获国家发明专利。
　　MOS管是金属氧化物半导体场效应管。随着电子电力技术的发展，在低压大功率的许多场合得到应用。目前， MOS管在并联使用时，均流问题一直没有得到有效的解决，这样会因电流不均使MOS管损坏；同时，在MOS管使用时，很少加入对MOS管的短路保护功能，从而导致多个并联的MOS管直通、损坏，这样大大提高了产品研发的成本。
　　本发明提供了一种并联MOS管均流及短路保护电路，实现了每个MOS管流过的电流和开关速度相等，能够迅速有效地检测到MOS当前运行状态；电路搭建简单可靠，占用PCB板的面积小。