“一种在C/SiC复合材料中原位生长β-SiC纳米纤维的方法”获国家发明专利

　　中国运载火箭技术研究院航天材料及工艺研究所自主研发的“一种在C/SiC复合材料中原位生长β-SiC纳米纤维的方法”获国家发明专利。
　　碳纤维增强碳化硅（又称“C/SiC”）复合材料具有耐高温、低密度、高性能和抗氧化等显著优点，是一种新型的高温结构防热一体化材料，可被广泛用于航天、航空、高速列车等高科技领域，有良好的应用前景。然而，利用先驱体浸渍裂解法制备复合材料的过程中原位生成SiC纳米纤维的方法还未见报道。
　　本发明提出的“一种在C/SiC复合材料中原位生长β-SiC纳米纤维的方法”，可直接在制备复合材料的过程中原位生成SiC纳米纤维，SiC纳米纤维生长在孔洞处，能够在一定程度上让浸渍剂均匀分布，减少材料缺陷，提高复合材料的使用性能。本方法工艺简单，易于控制，操作方便。 

△该专利示意图